晶振中常見的術(shù)語都有哪些?
頻率控制是確保時(shí)鐘和定時(shí)穩(wěn)定性的關(guān)鍵。現(xiàn)代計(jì)算機(jī)依賴數(shù)字時(shí)鐘,以確保各項(xiàng)操作在精確的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行,而無線電頻率收發(fā)器等設(shè)備則使用模擬時(shí)鐘。先進(jìn)技術(shù)行業(yè),如醫(yī)療技術(shù)、汽車、工業(yè)自動(dòng)化、制造和網(wǎng)絡(luò)等,都依賴晶體振蕩器電路提供的時(shí)鐘信號(hào),以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的同步、組織和協(xié)調(diào)。
常見的頻率單位
這些縮寫將幫助您理解由晶體振蕩器電路產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)頻率。
Hz: 赫茲;每秒1個(gè)周期。(每秒鐘振動(dòng)(或振蕩、波動(dòng))一次為1赫茲,或可寫成次/秒,周/秒。因德國科學(xué)家赫茲而命名)
kHz: 千赫茲;每秒1000赫茲。
MHz: 兆赫茲;每秒1000000赫茲。
GHz: 千兆赫茲;1000 MHz。
mS: 毫秒;1/1000秒。( 1秒 = 10分秒;1分秒 = 10厘秒;1厘秒 = 10 毫秒 ;1 毫秒 = 1000微秒;1微秒 = 1000納秒;1納秒 = 1000皮秒。典型照相機(jī)的最短曝光時(shí)間為一毫秒)
μS: 微秒;1/1000000秒。
nS: 納秒;1/1000微秒。
pS: 皮秒;1/1000納秒。
fs: 飛秒;1/1000皮秒。
電子設(shè)備中的常見頻率
在與技術(shù)緊密聯(lián)系的世界中,頻率是我們生活中不可或缺的一部分。以下頻率用于我們?nèi)粘I钪惺褂玫脑O(shè)備和器具。
50Hz: 中國的交流電頻率。歐洲、亞洲、非洲以及澳大利亞等地區(qū)也在使用的標(biāo)準(zhǔn)交流電頻率。
60Hz: 美國的交流電頻率。加拿大、部分中美洲和南美洲國家等也在使用的標(biāo)準(zhǔn)交流電頻率。
32.768kHz: 實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)的頻率。
13MHz / 26MHz: GSM手機(jī)時(shí)鐘和LTE手機(jī)時(shí)鐘的頻率。
13.56MHz: 射頻識(shí)別(RFID)和近場(chǎng)通信(NFC)的頻率。
900MHz: 這是全球使用最廣泛的GSM(全球移動(dòng)通信系統(tǒng))頻率,主要用于歐洲、亞洲、非洲和澳大利亞等地區(qū)。
1575.42MHz: 常見的GPS頻率。用于標(biāo)準(zhǔn)定位服務(wù)(SPS),大多數(shù)民用和商用GPS設(shè)備都依賴這個(gè)頻率進(jìn)行定位。
2450MHz / 2.45GHz 至 5000MHz / 5GHz: 常見的Wi-Fi頻率。
RF: 射頻帶寬通常為3kHz至300GHz。
晶振中的常見名詞
在確定如何使用晶體振蕩器電路產(chǎn)生的頻率信號(hào)時(shí),這些術(shù)語將幫助你理解高質(zhì)量時(shí)鐘制造商如何描述他們?cè)O(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
石英: 單晶硅石(SIO2),通過蝕刻或研磨工藝切割出特定頻率。
標(biāo)稱頻率: 指定的中心頻率,也稱為給定電子設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率。
基頻模式: 晶體切割的主要頻率。
泛音(3次、5次、7次等): 基頻的整數(shù)倍。
AT切割: 最常見的石英晶體切割角度。
石英片: 安裝在支架上的完整晶體。
晶體電極: 石英片兩側(cè)的鍍層區(qū)域。
DIP晶體: 插孔晶體,通過插孔鉆孔安裝在印刷電路板上。
SMD晶體: 表面貼裝晶體,直接安裝在電路板上。
ESR: 等效串聯(lián)電阻,指電路運(yùn)行過程中電容器和電感器所經(jīng)歷的損耗。
CL: 負(fù)載電容,指電容器運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)的外部能量量。
常見的振蕩術(shù)語
以下是TROQ 創(chuàng)捷電子為您設(shè)計(jì)的項(xiàng)目提供的最常用振蕩器的列表。
32.768 kHz: 這種石英產(chǎn)生的頻率常用于手表或具有時(shí)間保持功能的設(shè)備。
XO: 晶體振蕩器的縮寫。也稱有源晶振。
VCXO: 壓控晶體振蕩器,通過施加電壓來移動(dòng)振蕩器的頻率,以匹配正在傳輸或接收的頻率。
TCXO: 溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,調(diào)整頻率以防止溫度對(duì)信號(hào)的影響。
VC-TCXO: 壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器,像VCXO一樣允許頻率調(diào)整,同時(shí)像TCXO一樣提供頻率穩(wěn)定性以應(yīng)對(duì)不利溫度。
OCXO: 恒溫晶體振蕩器具有內(nèi)部加熱器和溫度控制電路,以保持晶體在其“轉(zhuǎn)點(diǎn)”溫度。OCXO提供顯著更好的穩(wěn)定性、抖動(dòng)和相位噪聲。
TSX:熱敏晶振,內(nèi)置熱敏電阻,具備溫度感應(yīng)功能,可為客戶提供高頻率穩(wěn)定性需求,主要應(yīng)用于移動(dòng)通信中,常用頻率有19.2MHz、26MHz、38.4MHz、52MHz等
可編程: 數(shù)字可編程振蕩器允許用戶通過接口調(diào)整振蕩器的頻率。
AEC-Q200: AEC-Q200是專門針對(duì)被動(dòng)電子元件(如電容器、電阻器、電感器等)在汽車應(yīng)用中的質(zhì)量和可靠性要求的標(biāo)準(zhǔn)。
IATF 16949:是全球汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn),專門針對(duì)汽車生產(chǎn)和相關(guān)服務(wù)零部件組織的質(zhì)量管理體系要求。(TROQ創(chuàng)捷電子已經(jīng)通過AEC-Q200、IATF 16949這兩項(xiàng)認(rèn)證。)
常見的振蕩器輸出方式
設(shè)計(jì)社區(qū)中的工程師依賴定時(shí)解決方案為他們的應(yīng)用提供頻率輸出,這些術(shù)語幫助他們描述晶體振蕩器電路的頻率輸出。
TTL: 晶體管-晶體管邏輯,使用雙極結(jié)晶體管和電阻器,使用5V電源。
LVCMOS / CMOS: 低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,是集成電路中常見的低電壓CMOS技術(shù),通常為3.3V,但JEDEC標(biāo)準(zhǔn)允許最低1.1V的電壓。
LVDS: 低電壓差分信號(hào),可以在低功耗下運(yùn)行,并可以在非常高的速度下運(yùn)行。它們通常使用2.5V電源,適用于>100 MHz的應(yīng)用。
LVPECL: 低電壓發(fā)射耦合邏輯,主要用于高速和時(shí)鐘分配電路的差分信號(hào)系統(tǒng)。
HCSL: 高速電流轉(zhuǎn)向邏輯,是一種差分邏輯輸出,產(chǎn)生0V和0.725V的電源擺動(dòng)。它適用于低抖動(dòng)和低電磁干擾的應(yīng)用。
削波正弦波: 一種正弦波形,其上限和下限峰值被調(diào)整,使其不會(huì)達(dá)到高或低。這會(huì)產(chǎn)生方波輸出,而不會(huì)犧牲任何期望的相位噪聲性能。
正弦波輸出: 正弦波是一種交流(AC)模擬信號(hào),其波形為正弦波。這些在許多電子設(shè)備中至關(guān)重要,包括計(jì)算機(jī)、手機(jī)、雷達(dá)和無線電及電視接收器和發(fā)射器。正弦波振蕩器很有用,因?yàn)樗鼈兛梢陨蓽?zhǔn)確且可重復(fù)的頻率。
最受歡迎的晶體封裝尺寸
當(dāng)今晶體振蕩器的外形尺寸是近年來電子技術(shù)發(fā)展的結(jié)果,旨在為用戶提供最有效的應(yīng)用。
晶體封裝正在日益縮小。目前,TROQ 創(chuàng)捷電子提供1.6 x 1.2 mm - 8.0 x 4.5mm的封裝尺寸。全方位滿足客戶的需求,在全球范圍內(nèi),最常見的晶體封裝尺寸為3.2 x 2.5 mm和2.0 x 1.6mm。
需要定時(shí)解決方案的應(yīng)用程序設(shè)計(jì)時(shí),可以使用本指南與TROQ 創(chuàng)捷電子(全球頻率器件制造商)討論相關(guān)問題。
振蕩器也正趨向于越來越小。目前,TROQ 創(chuàng)捷電子提供2.0 x 1.6 mm - 7.0 x 5.0mm的封裝尺寸。在過去的五年里,最受歡迎的振蕩器封裝為3.2 x 2.5 和2.0 x 1.6 mm。
要為您的頻率控制解決方案建立成功的合作關(guān)系,了解如何與提供高質(zhì)量、高性能定時(shí)組件的制造商合作至關(guān)重要。
在過去的時(shí)間里,TROQ創(chuàng)捷電子一直為工程師提供他們?cè)诟鞣N行業(yè)的關(guān)鍵應(yīng)用中所需的定時(shí)組件和工程支持。隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、人工智能(AI)以及更先進(jìn)的數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和通信技術(shù)的出現(xiàn),TROQ創(chuàng)捷電子繼續(xù)滿足工程師的需求,提供領(lǐng)先的解決方案。